产品中心

当前位置：首页产品中心万用表&功率计&测温仪 5.泰克2600-PCT-2B泰克2600-PCT-2B参数曲线跟踪仪

泰克2600-PCT-2B参数曲线跟踪仪

产品简介

泰克2600-PCT-2B参数曲线跟踪仪
开发和使用 MOSFET、IGBT、二极管和其他大功率器件，需要全面的器件级检定，如击穿电压、通态电流和电容测量。 Keithley 高功率参数化波形记录器系列的配置支持所有的设备类型和测试参数。 Keithley 参数化波形记录器配置包括检定工程师快速开发全面测试系统所需的一切。

产品型号：2600-PCT-2B

更新时间：2024-11-26

厂商性质：代理商

访问量：1440

产品咨询 13530498700

product

产品分类

万用表&功率计&测温仪

1.固纬 2.优利德 3.是德 4.鼎阳 5.泰克 6.安柏功率计 7.利利普 8.盛普 9.致茂 10.致远 11.德力 12.艾维泰科

tel-phone

0755-23217274

查看全部

article

详细介绍在线留言

品牌	TeKtronix/美国泰克	产地类别	进口
应用领域	电子

泰克2600-PCT-2B参数曲线跟踪仪

高性能器件特性分析

开发和使用MOSFETS、IGBTs、二极管及其他高功率器件要求完善的器件级特性分析，如击穿电压、开态电流和电容测量。吉时利一系列高功率参数曲线跟踪仪配置支持全系列器件类型和测试参数。吉时利参数曲线跟踪仪配置包括特性分析工程师迅速开发完整的测试系统所需的一切。ACS基本版软件提供了完整的器件特性分析，包括实时跟踪模式及全部参数模式，实时跟踪模式用来迅速检查基础器件参数，如击穿电压；全部参数模式用来提取精确的器件参数。ACS基本版超越了传统曲线跟踪仪接口的能力，提供了广泛的一系列样本库。更重要的是，用户可以全面控制所有测试资源，创建以前在曲线追踪仪上不能26实00现-P的C更T-先4B进型的，测试。

分析各种功率器件类型的电特性，包括：

MOSFET	IGBT	Triac	电阻器
BJT	二极管	电容器	等等...

分析各种功率器件类型的电特性，包括：

击穿电压 (Bvdss, Bvceo)	漏极/集电极泄漏 (Idss, Ir/Icbo,Iceo)	阈值或截止电压 (Vth, Vf, Vbeon)	电容 (Ciss, Coss, Crss)
开态电流 (Vdson, Vcesat, Vf)	机极/基极泄漏 (Igss, Ib)	正向传输 (yfs, Gfs, Hfe, gain)	等等...

吉时利参数曲线跟踪仪同时支持封装部件测试和晶圆级测试。

主要特点:

为*性能价格比设计的完整的解决方案
现场可升级，可重新配置 – 把PCT 转换成可靠性或晶圆分类测试仪
可以配置功率电平：
–从200V到3kV
–从1A到100A
宽动态范围：
–从μV到kV
–从fA到100A
范围全面的电容电压(C-V)功能：
–从fF到μF
–支持2端子、3端子和4端子器件
–高达3kV DC偏置
高性能测试夹具支持多种封装类型

应用

功率半导体器件特性分析与测试
GaN、SiC、LDMOS以及其他器件
特性分析
功率器件可靠性研究器件检测与质量认证

吉时利参数曲线跟踪仪同时支持封装部件测试和晶圆级测试。

吉时利参数曲线跟踪仪配置是完整的特性分析工具，包括功率器件分析所需的主要要素。测量通道包括吉时利数字源表®源测量单元(SMU)仪器和选配的多频率电容-电压(C-V) 表。这些仪器的动态范围和准确度比传统曲线跟踪仪高出若干量级。

完整的系统附件

为了实现这种性能，吉时利公司已经开发出一系列高精密电缆，实现与吉时利8010型高功率器件测试夹具或8020型高功率接口面板的连接，前者用于封装部件测试，后者用于晶圆级测试。对于高电压通道，定制三轴电缆可以提供保护路径，支持快速稳定和超低电流，包括在3kV全高压情况下。对于高电流通道，低电感电缆可以提供快速上升时间脉冲，使器件自热效应达到小。

高压电容-电压(C-V)

测试器件电容相对DC电压的关系正变得越来越重要。吉时利提供了PCT-CVU型多频率电容电压表。在与选配的200V或3kV偏置T型装置结合使用时，可以在两端子、三端子或四端子器件上测量电容相对电压的关系。可以测量从pF到100nF的电容，支持10kHz ~ 2MHz的测试频率。ACS基本版软件提供了60多种内置C-V测试，包括MOSFET Ciss、Coss、Crss、Cgd、Cgs、Cds及全套其他器件，如BJTs和二极管。一如既往，用户可以实现全面控制，在ACS基本版软件中开发自己的测试算法。

配置选型指南
型号1		集电极/漏极电源2		阶跃发生器基极/栅极电源	辅助电源
型号1		高压模式	高流模式	阶跃发生器基极/栅极电源	辅助电源
低功率	2600-PCT-1B	200 V/10 A	200 V/10 A	200 V/10 A	N/A
高流	2600-PCT-2B	200 V/10 A	40 V/50 A	200 V/10 A	200 V/10 A
高压	2600-PCT-3B	3 kV/120 mA 200 V/10 A		200 V/10 A	200 V/10 A
高流和高压	2600-PCT-4B	3 kV/120 mA 40 V/50 A		200 V/10 A	200 V/10 A

1.关于定制配置，请与吉时利现场应用工程师联系。
2. 通过添加2651A型号，可以将高电流模式增加到50A或100A。
3. 可以在任何配置中增加PCT-CVU多频率电容表。

半导体参数测试软件，适用于组件与分立器件

ACS基本版本软件是专为利用吉时利仪器的高性能能力而开发的，它包括几个履行常见高功率器件测试的样本库。与其他系统不同的是，该软件在测量通道配置方面，给用户带来几乎不受限制的灵活性，可以创建传统曲线跟踪仪无法实现的测试。

多测试模式允许对一个器件进行多项测试。

跟踪模式支持器件的交互测试。

与传统曲线跟踪仪相比，PCT图形提供了高分辨率屏幕数据分析功能、完整的图形定制能力，并能够简便地报告到任何字处理软件或报告软件。

泰克2600-PCT-2B参数曲线跟踪仪

典型功率晶体管参数

参数	符号	测试方法¹	大量程	典型*分辨率	典型精度
击穿电压	Bvdss, Bvceo	Id-Vd或Id(脉冲)	±3000 V²	100 µV, 10 fA	0.05% rdg + 0.05% rng
开态电流(直流)	Vdson, Vcesat, Vf	Id–Vd	±20⁴ ，可选：±40A⁴	100 nA, 1 µV	0.05% rdg + 0.05% rng
开态电流(脉冲)	Vdson, Vcesat, Vf	Id–Vd	±50A⁴，可选：±100A⁴	100 µA, 1 µV	0.05% rdg + 0.05% rng
漏极/集电极漏电流	Idss, Ir/Icbo, Iceo	Id–Vd	±20 mA @ 3000^{2, 5}	10fA, 1µV	0.2% rdg + 1% rng
栅极/基极漏电流	Igss, Ib	Ig–Vg	±1A或±10 A脉冲³	10 fA, 1 µV	0.2% rdg + 1% rng
开态阈值电压或截止电压	Vth,Vf,Vbeon,Vcesat	Id–Vg	±200V³	10fA,1µV	0.2% rdg + 0.5% rng
正向传输导纳或正向跨导	\|yfs\| Gfs, Hfe, gain	Vd–Id@Vds	1 ms ～1000s⁶	1 pA, 1 µV	1%
开态电阻	RDS(on), Vcesat	Vd–Vg@ Id	<100μΩ⁷	10μQ，1μV	1%
输入电容	Ciss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF
输出电容	Coss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF
反向传输电容	Crss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF

1. 用于提取参数的测试方法。仅列出典型MOSFET，其他器件使用的方法类似。
2. 2657A型高功率系统数字源表仪器。
3. 2636B型数字源表或4210型源测量单元（SMU）仪器。
4. 2651A型高功率系统数字源表仪器或者可选择双2651A型高功率系统数字源表仪器。
5. 在3000V电压时大电流20mA，在1500V电压时大电流120mA。
6. 典型提取能力(示例: 1mA/1V ～ 1A/1mV)。
7. 典型提取能力(示例: 1mV/10A)。
8. 使用PCT-CVU和CVU-3K-KIT时，大±200V直流 (±3kV)偏置。

8010高功率器件测试夹具

8020高功率接口面板

高电流、低电感电缆

高电压、低噪声三同轴电缆

2600-PCT-4B型，带有8010型测试夹具

典型测试简介

器件	泄漏	击穿	增益	开态
双极型晶体管	IEBO, IECO, IEVEB, ICVCB	BVCBO, BVCEI, BVCEO, BVCEV, BVEBO, BVECO	HFE	IBCO, IBEO, IBICVBE, IBVBE, ICBO, ICEV, ICVCE_BiasIB, ICVCE_BiasVB, ICVCE_StepIB, ICVCE_StepVB, VBCO, VCE
MOSFET	IDL, IDS_ISD, IGL, ISL	BVDSS, BVDSV, BVGDO, BVGDS, BVGSO	GM	IDVD_BiasVG, IDVD_StepVG, IDVG_BiasVD, IDVG_StepVD, IDVG_StepVSUB, IGVG, VTCI, VTEXT, VTEXT_IISQ
二极管	IRDVRD	VBRIRD	NA	DYNAMICZ, IFDVFD, VFDIFD, VRDIRD
电阻器	NA	NA	NA	IV
电容器	IV	Ciss, Coss, Crss, Cgd, Cds, Cgs	NA	Independent bias on up to 4 terminals.

公式函数简介

类型

算术

ABS, AVG, DELTA, DIFF, EXP, LN, LOG, LOG10, SQRT

参数提取

GMMAX, RES, RES_4WIRE, RES_AVG, SS, SSVTCI, TTF_ DID_LGT, TTF_LGDID_T, TTF_DID_T, TTF_LGDID_LGT, VTCI, VTLINGM, VTSATGM

拟合

EXPFIT, EXPFITA, EXPFITB, LINFIT, LINFITSLP, LINFITXINT, LINFITYINT, REGFIT, REGFITSLP, REGFITXINT, REGFITYINT, REGFIT_LGX_LGY, REGFIT_ LGX_Y, REGFIT_X_LGY, TANFIT, TANFITSLP,TANFITXINT, TANFITYINT

操作

AT, FINDD, FINDLIN, FINDU, FIRSTPOS, JOIN, LASTPOS, MAX, MAXPOS, MIN, MINPOX, POW, SMOOTH

上一个：2600-PCT-1B泰克2600-PCT-1B参数曲线跟踪仪